产品属性 属性值
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: WSON-FET-6
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 5 A
Rds On-漏源导通电阻: 35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.3 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Dual
下降时间: 3 ns, 3 ns
正向跨导 - 最小值: 75 S, 75 S
高度: 0.75 mm
长度: 2 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 11 ns, 11 ns
系列: CSD87502Q2
工厂包装数量：250
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 12 ns, 12 ns
典型接通延迟时间: 3 ns, 3 ns
宽度: 2 mm
单位重量: 5 mg
