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制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSON-CLIP-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 60 A
Rds On-漏源导通电阻: 5.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 7.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.8 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
开发套件: DLPDLCR4710EVM-G2, TPS65982-EVM, TPS65983EVM
下降时间: 3.6 ns
正向跨导 - 最小值: 67 S
高度: 1 mm
长度: 3.3 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 9.9 ns
系列: CSD17309Q3
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 13.2 ns
典型接通延迟时间: 6.1 ns
宽度: 3.3 mm
单位重量: 44.500 mg
